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AP2401B13KTR-E1 AP2401B13KTR-E1
AP2401B13KTR-E1中文资料第5页精选内容:数据表五 2009年10月修订版1. 4 BCD半导体制造有限公司双LDO调节器 AP2401参数符号值单元输入电压 V IN 6.5 V启用输入电压 V CE 6.5 V 输出电流(T A = 25 O C) 我 OUT 1 + I OUT 2 700嘛 功耗(T A = 25 O C) P D. 250毫瓦结温 T J 150 O C存储温度范围 T STG -65至150 O C引线温度(焊接,10秒?...
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ACE50133BM+ ACE50133BM+
ACE50133BM+中文资料第4页精选内容: ACE501 技术 250MA CMOS低压差电压低功耗稳压器 VER 1.2 4 ACE501-3.0参数符号条件敏典型马克斯单位输入电压 V IN 8 V输出电压 V OUT 2.94 3.0 3.06 V最大输出电流 我 OUT (最大) V IN = 4V,V OUT > 2.94 250嘛 I OUT = 100MA 170 300输入 - 输出电压微分退出电压 I OUT = 200MA 320 500毫伏线路调...
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AZ7500BM AZ7500BM
AZ7500BM中文资料第11页精选内容:脉宽调制控制电路 AZ7500B / C数据表 11 2006年4月修订版1. 2 BCD半导体制造有限公司机械尺寸 SOIC-16单位:毫米(英寸) 7° 6.040(0.238) 0.406(0.016) 20:1的一个 1.650(0.065) 0.700(0.028) 7° 1° 5°乙 C 1.000(0.039) 0.200(0.008) 20:1的乙 C 50:1 CC 0.250(0.010) 0.200(0.008)MIN 0...
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AZ432BKTR-G1 AZ432BKTR-G1
AZ432BKTR-G1中文资料第15页精选内容:数据表低电压(1.25V)可调式精密并联稳压器 AZ432 15 2012年12月第2版5 BCD半导体制造有限公司机械尺寸(续) SOT-23-5单位:毫米(英寸) 2.820(0.111) 0.000(0.000) 0.300(0.012) 0.950(0.037) 0.900(0.035) 0.100(0.004) 0.200(0.008) 8° 0° 3.020(0.119) 0.400(0.016) 0.150(0.0...
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AP2114DA-3.3TRG1 AP2114DA-3.3TRG1
AP2114DA-3.3TRG1中文资料第8页精选内容:数据表具有使能的1A低噪声CMOS LDO调节器 AP2114 2013年1月修订版2 BCD半导体制造有限公司 8电气特性 AP2114-1.2电气特性(注2) (V IN = 2.5V,C IN =4.7μF(陶瓷),C OUT =4.7μF(陶瓷),典型T A = 25°C,粗体字适用于-40°C以上 ≤TA≤85 ° C范围,除非另有说明(注3))参数符...
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AP2128K-4.2TRG1 AP2128K-4.2TRG1
AP2128K-4.2TRG1中文资料第19页精选内容: 300MA高速,极低噪声CMOS LDO调节器 AP2128数据表 19 2010年9月修订版2.0 BCD半导体制造有限公司典型应用 V OUT = 0.8(1 + R1 / R2)V V OUT = 1.0V至5.2V图40. AP2128的典型应用 V IN V IN V OUT V OUT关掉 GND C OUT 1 μF C IN 1 μF AP2128 V在 V在 V OUT V OUT ADJ关掉 GND C OUT 1 μF C在 1 μF R1 R2 AP2128
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AZ1086D-3.3TRG1 AZ1086D-3.3TRG1
AZ1086D-3.3TRG1中文资料第12页精选内容: 1.5A低压差线性稳压器 AZ1086数据表 12 2011年4月修订版1. 8 BCD半导体制造有限公司图16. AZ1086的典型应用典型应用 AZ1086-ADJ V IN V OUT ADJ V IN 10 μF 150 Ω R2 22 μF ++ ++ V IN AZ1086-5.0 V IN V OUT GND 10 μF 22 μF V OUT V OUT R1 V OUT = V REF *(1 + R2 / R1)+ I ADJ * R2 150 Ω
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AS78L18ZTR-E1 AS78L18ZTR-E1
AS78L18ZTR-E1中文资料第14页精选内容: 100MA正电压调节器 AS78LXX数据表 14 2011年8月第1版9 BCD半导体制造有限公司图13.负载瞬态典型性能特征(续) (条件:V IN = 10V,C IN =0.33μF,C OUT =0.1μF)图12.线路瞬变 (条件:I OUT = 40MA,C IN =0.33μF,C OUT =0.1μF)时间(20微秒/ DIV) AS78L05 10 15 0 20时间(40微秒/ DIV) 0 1...
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AP3102P-G1 AP3102P-G1
AP3102P-G1中文资料第5页精选内容:绿色模式PWM控制器 AP3102 / V / L五 2010年1月修订版1. 2 BCD半导体制造有限公司初步数据表参数符号值单元电源电压 V CC三十 V门输出电流 我 O 5 00嘛 FB,SENSE引脚的输入电压 V FB, V SENSE -0.3至7 V输入电压到RI,ADJ引脚 V RI ,V ADJ -0.3至7 V热阻结到环境 θJA DIP-8 83 O C / W SOIC-8 186?...
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AP2115R5-1.8TRG1 AP2115R5-1.8TRG1
AP2115R5-1.8TRG1中文资料第9页精选内容:初步数据表具有使能的1A低噪声CMOS LDO调节器 AP2115 2011年7月第1版1 BCD半导体制造有限公司 9电气特性(续) AP2115-3.3电气特性(注2) V IN = 4.3V,C IN =4.7μF(陶瓷),C OUT =4.7μF(陶瓷),典型T A = 25°C,粗体字适用于-40° C≤TJ≤85 ° C范围,除非另有说明(注3).参数?...
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